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項目需求

晶圓劃片是半導(dǎo)體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序，是將完成的晶圓切割成小的晶片的過程，在晶圓制造中屬后道工序，跟著晶圓直徑越來越大，芯片厚度越來越薄，對晶圓劃片設(shè)備性能的要求也越來越高。

解決方案

Akribis為客戶提供定制化有框力矩電機的解決方案，幫助客戶實現(xiàn)晶圓劃切過程中的角度調(diào)整。

定制力矩電機具有較低的端跳，在很大程度上地保障了劃切的效果。

電機防水處理，在切削液環(huán)境中也能夠保證電機的性能不受影響，可以持續(xù)穩(wěn)定運行。

主要參數(shù)

請咨詢cust-service@akribis-sys.cn 

項目需求

隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)線寬的縮小，晶圓加工過程需要通過高分辨率相機捕獲小的物理缺陷和高縱橫比缺陷。這就要求晶圓缺陷檢測設(shè)備具備精確且可重復(fù)的運動控制系統(tǒng)，通過高精度、高速度運動平臺配合相機同步掃描高速獲取硅片圖像，同時對運動的整定時間也提出了較高的要求。

解決方案

●雅科貝思提供高性能XYZ堆疊高精度運動平臺，及高性能控制系統(tǒng)的整套打包解決方案。

●XY軸采用Akribis專利設(shè)計AUM系列的無鐵芯直線電機，無齒槽效應(yīng)，保障了低速運動時較高的穩(wěn)定性；Z軸采用特殊設(shè)計，用于光學(xué)調(diào)焦，實現(xiàn)運動線圈低質(zhì)量和高加速度。

●在控制方面，其優(yōu)化的控制算法可以在很大程度上地將龍門平臺的性能發(fā)揮到極致，實現(xiàn)納米級定位和高速運動。

主要參數(shù)

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項目需求

化學(xué)機械拋光設(shè)備主要用于單晶硅片制造和芯片制造前道工藝，依托CMP技術(shù)的化學(xué)-機械動態(tài)耦合作用原理，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的有效去除與全局平整度的納米級平坦化。 此工藝需要在有壓力的情況保持一定轉(zhuǎn)速運動，對電機的運動穩(wěn)定性要求較高，否則在運動的情況下有外力介入，會影響晶圓研磨效果，導(dǎo)致廢片。

解決方案

Akribis提供各種類型的DDR電機，同時根據(jù)客戶具體應(yīng)用工況進行定制化設(shè)計。我們在半導(dǎo)體行業(yè)擁有很高的行業(yè)認可度，Akribis已在200mm和300mm晶圓的CMP設(shè)備上有非常成熟的應(yīng)用和解決方案。針對CMP設(shè)備的DDR電機，以高扭矩密度為設(shè)計理念，用更緊湊的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)更高的峰值扭矩和持續(xù)扭矩；同時也優(yōu)化了鐵芯設(shè)計，使齒槽扭矩微型化，實現(xiàn)更小的速度波動。

主要參數(shù)

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項目需求

在半導(dǎo)體硅片制造工藝拋光后，晶圓制造工藝的光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工序前后，以及封裝工藝中，都需要清洗工序。清洗工序的技術(shù)是影響芯片成品率、品質(zhì)及可靠性重要的因素之一。 在清洗設(shè)備中，晶圓高速旋轉(zhuǎn)，對電機有更高的要求：有限的空間尺寸約束，且實際工作時頻繁高低速切換，高防護等級。

解決方案

●在特定環(huán)境，同時對某些性能指標(biāo)要求不高的運動場景中，雅科貝思會為客戶定制更匹配，更具性價比的DDR解決方案。

●在晶圓清洗設(shè)備專用的DDR電機具備高防護等級。

●大中孔設(shè)計，便于客戶線纜以及氣路的設(shè)計。

●優(yōu)化的鐵芯設(shè)計，實現(xiàn)更小的齒槽扭矩，實現(xiàn)更小的速度波動。

●高速切換速度可達2500RPM。

主要參數(shù)

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項目需求

激光退火設(shè)備用于離子注入工藝之后，進行退火，以消除晶格缺陷和消除硅結(jié)構(gòu)的晶格損傷，提高晶片的結(jié)晶質(zhì)量，對運動臺的精度和低速運動時的速度波動性有更高要求。

解決方案

●雅科貝思提供高性能XYZ雙驅(qū)龍門運動平臺，及高性能控制系統(tǒng)的整套打包解決方案。在激光退火過程中，雅科貝思龍門平臺具有高精度和運動穩(wěn)定性。

●XYZ軸均采用Akribis專利設(shè)計AUM系列的無鐵芯直線電機，無齒槽效應(yīng)，這本身就保障了低速運動時更高的穩(wěn)定性；采用特殊光柵尺，●實現(xiàn)更高的精度和更低的熱膨脹系數(shù)；配套高性能運動控制器，其優(yōu)化的龍門算法可以在很大程度上地將龍門平臺的性能發(fā)揮優(yōu)勢。

主要參數(shù)

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